大家都知道，目前ASML在市场上地位颇为强大，尤其是因为ASML旗下拥有能够制造7nm以下工艺制程芯片的EUV光刻机，以至于在市场上有着绝对实力。

　　即便是美国，目前也依旧没有自研出能够实现7nm工艺制程芯片量产的光刻机，因此，ASML几乎在EUV光刻机这方面几乎可以达到100%垄断市场。

　　反观我国由于在大力推动科技发展阶段，以至于对于EUV光刻机的需求颇为巨大，但是很可惜，由于老美的阻拦，ASML无法向中国市场供应EUV光刻机。

　　不过中国各大科技企业并没有选择放弃，反而是大力推动自研光刻机技术和先进工艺芯片量产技术，如今终于也是得到了不小突破。

　　根据2023年1月份消息，我国成功自研新型光刻机超分辨率光刻机，相较比ASML的传统光刻机来说，几乎可以说是完全绕开了DUV光刻机的设计理念。

　　超分辨光刻机通过超分辨光刻镜头，对晶圆进行高均匀性照明，并采用等离子超衍射光刻技术，通过产生的等离子体对晶圆进行光刻。

　　较比于超分辨率光刻机来说，DUV光刻机的光源是准分子激光，并利用光的折射原理，以针对于芯片介质改变进行制造。

　　而两者的波长也不同，超分辨光刻机的波长处于365nm，而DUV光刻机的波长处于193nm，由于波长越短分辨率越高的规律，超分辨光刻机的水平目前不如DUV光刻机。

　　根据目前的消息称，超分辨光刻机能够实现22nm工艺芯片制造，未来更是可以加工10nm芯片，不过若是按照目前超分辨光刻机第一代的水准，依旧是可以支持加工10nm工艺芯片。

　　只是原理和DUV光刻机加工7nm工艺芯片一样，需要通过多重曝光得到，不仅成本更高，量产的良率也颇为堪忧。

　　当然，针对于超分辨光刻机是中国绕开ASML自研的成果，并且能够实现22nm工艺制程芯片量产，这对于我国芯片发展来说，无疑是踏出了颇为不错的第一步。

　　而根据目前的消息显示，第一台超分辨光刻机已经验收成功，并且已经进入量产阶段，对于我国科技发展算是一个好消息。

　　值得一提的是有位网友私信询问了一个问题，目前ASML依旧可以向我国供应DUV光刻机，那为什么还要自研不如DUV光刻机的超分辨光刻机呢？

　　关于这个问题，想必所有清楚国际关系的都知道，原因有两点，其一是目前老美依旧在想尽办法“封锁”ASML向中国供应DUV光刻机的可能性，所以目前虽说ASML暂时可以供应，但后续就很难说了。

　　其二就是如今无论是老美还是ASML，毕竟都是其他国家的企业，我国自身不具备制造光刻机的缺点，无疑可能将会成为被“卡脖子”的可能性，所以中国为了走向自给自足的最终结果，自研光刻机技术无疑是必经之路。

　　自研超分辨光刻机第一代虽说无法比肩ASML的DUV光刻机，但这绝对算是一个好的起步，后续针对超分辨光刻机进行优化，比肩甚至超过DUV光刻机仅仅只是时间问题。